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四(乙基甲基胺基)铪(IV),Tetrakis(ethylmethylamido)hafnium(IV) [TEMAH];≥99.99% trace metals basis

别名:四(乙基甲基氨基)铪(IV);TEMAH;Tetrakis(ethylmethylamino)hafnium(IV)

线性分子式: [(CH3)(C2H5)N]4Hf CAS号: 352535-01-4 分子量: 410.90 MDL编号: MFCD03427130 PubChem化学物质编号: 24879306 NACRES: NA.23
制造商品牌: Sigma-Aldrich
货号(SKU): 553123
CAS号: 352535-01-4
MDL号: MFCD03427130
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¥3,801.39

说明

一般描述

四双(乙基甲基氨)铪(IV)(TEMAH)是一种对水和空气敏感的无色液体。它在 -50 °C 结冰,在 0.1 托下,在 78 °C左右沸腾。
 

应用

TEMAH 被用作氧化铪(HfO2)薄膜的原子层沉积(ALD)的前体。因为 HfO2 具有 16-25 的高介电常数,所以它通常用作半导体制造中的介电膜。
TEMAH 由于其低沸点以及与水和臭氧的反应性,是 ALD 的理想选择。最重要的是,它在包括玻璃、氧化铟锡(ITO)和硅(100)在内的许多基板上的吸附是自限制的。[1]研究人员还用它在 MoS2等二维材料上沉积 HfO2薄膜。[2]
TEMAH 也是在MoS2光电晶体管上合成铁电铪-氧化锆和Hf1-xZrxO2薄膜的有用前体。[3]研究人员还通过 ALD 交替脉冲 TEMAH 和氨沉积了氮化铪(Hf3N4)薄膜。[4]
 

特点和优势

  • 热稳定性。
  • 它具有足够的挥发性,适合用于气相沉积。
  • 完全自我限制的表面反应。

 

属性

质量水平

检测方案

≥99.99% trace metals basis

形式

liquid

reaction suitability

core: hafnium

杂质

Purity excludes ~2000 ppm Zirconium

bp

78 °C/0.01 mmHg (lit.)

mp

<-50 °C

密度

1.324 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES string

CCN(C)[Hf](N(C)CC)(N(C)CC)N(C)CC

InChI

1S/4C3H8N.Hf/c4*1-3-4-2;/h4*3H2,1-2H3;/q4*-1;+4

InChI key

NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N

 

安全信息

警示用语:

Danger

危险分类

Acute Tox. 4 Oral - Eye Dam. 1 - Flam. Liq. 2 - Skin Corr. 1B - STOT SE 3 - Water-react 1

靶器官

Respiratory system

补充剂危害

储存分类代码

4.3 - Hazardous materials, which set free flammable gases upon contact with water

WGK

WGK 3

闪点(F)

51.8 °F - closed cup

闪点(C)

11 °C - closed cup

个人防护装备

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type ABEK (EN14387) respirator filter

商品规格
属性名称属性值
储存温度 Storage temp.常温阴凉避光
全球实时库存 Availability √美国St. Louis ≥ 33 | 欧洲Eur. ≥ 27 | 東京Tokyo ≥ 9 | 香港与北京 ≥ 16
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