Pure Strip 适用于剥离各种半导体、光掩模和 IC 光刻化合物中的其他有机化合物以及正性和负性光刻胶。 由于 Pure Strip 的高纯度/低颗粒成分,可以实现高收率。与其他酸性配方相比,Pure Strip 对暴露的金属表面(包括铝)的侵蚀可忽略不计、无残留漂洗和延长浴槽寿命(室温下至少五天)。 Pure Strip 即可使用,无需混合。
Pure Strip 可在室温或高温下使用。 较高的温度会增加活性,但会缩短浴槽寿命(60-80 °C 下 1 天)。 去除基材上的光刻胶并进行有效清洁,对铝的侵蚀最小(室温下约为 35 埃/分钟),对钛、钛钨、铜、硅化钽和 ITO 等其他金属和合金的侵蚀可忽略不计。
100
liquid
Danger
Eye Dam. 1 - Met. Corr. 1 - Skin Corr. 1A
8B - Non-combustible, corrosive hazardous materials
WGK 3