PFO-DBT；average Mw 10,000-50,000

描述

Band gap: 1.87 eV

质量水平

100

形式

solid

分子量

average M_w 10,000-50,000

缺失

0.5 wt. % TGA, 400 °C

转变温度

T_m >400 °C

轨道能量

HOMO -5.4 eV 
LUMO -3.53  (CV)

OPV设备性能

ITO/PEDOT:PSS/PFO-DPT:PC61BM (1:2)/Ba/Al

• Short-circuit current density (J_sc): 5.18 mA/cm²
• Open-circuit voltage (V_oc): 0.95 V
• Fill Factor (FF): 0.35
• Power Conversion Efficiency (PCE): 2.24 %

半导体性质

P-type (mobility=3×10⁻⁴ cm²/V·s)