三氧化二镓 [氧化镓]，Gallium(III) oxide；≥99.99% trace metals basis

图片 三氧化二镓 [氧化镓]，Gallium(III) oxide；≥99.99% trace metals basis
别名：氧化镓；Gallium trioxide； Empirical Formula (Hill Notation): Ga2O3 CAS号: 12024-21-4 分子量: 187.44 EC 号: 234-691-7 MDL编号: MFCD00011020 PubChem化学物质编号: 24852864 NACRES: NA.23
制造商品牌: 西格玛 Sigma-Aldrich
货号（SKU）: 215066
CAS号: 12024-21-4
MDL号: MFCD00011020
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说明

一般描述

氧化镓（III）（Ga2O3）是一种宽带隙半导体，属于透明半导体氧化物（TSO）家族。它可以形成不同的多晶型，如α-、β-、γ-、δ- 和 ε-。多晶和纳米晶 Ga2O3 可以使用多种方法制备，如化学气相沉积、热蒸发和升华、分子束外延、熔体生长等。它被广泛用作各种应用的功能材料，包括光电子、化学传感器、催化、半导体器件、场效应晶体管等。
 

应用

Ga2O3 被广泛用作制造电致发光器件的主体材料。例如，可以使用掺杂铕的 Ga2O3 薄膜作为发光层来制造光学透明的电致发光器件。
由于其独特的光学和电学特性，如中等电导率和高激光损伤阈值，Ga2O3 可用于激光驱动的电子加速器、低损耗等离子体和硅基电介质激光加速器。

它也可以用作丙烷脱氢制丙烯的有效催化剂。
用于制备 Sr2CuGaO3S 的起始材料，这是一种罕见的方形金字塔镓的例子。[1]
 
 

属性

检测方案

≥99.99% trace metals basis

形式

(crystalline powder)

reaction suitability

reagent type: catalyst
core: gallium

密度

5.88 g/mL at 25 °C

SMILES string

O=[Ga]O[Ga]=O

InChI

1S/2Ga.3O

InChI key

QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N

 

安全信息

储存分类代码

11 - Combustible Solids

WGK

WGK 2

个人防护装备

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

商品规格
属性名称属性值
储存温度 Storage temp.常温阴凉避光
全球实时库存 Availability √美国St. Louis ≥ 30 | 欧洲Eur. ≥ 10 | 東京Tokyo ≥ 9 | 香港与北京 ≥ 30
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