二酮吡咯并吡咯p型半导体，PDPP2T-TT-OD

图片 二酮吡咯并吡咯p型半导体，PDPP2T-TT-OD
别名：二酮吡咯并吡咯p型半导体；二酮吡咯并吡咯-噻吩并噻吩共聚物；Diketopyrrolopyrrole p-type semiconductor, Xerox XSC4p, Diketopyrrolopyrrole - thienothiophene copolymer

线性分子式: (C60H90N2O2S4)n CAS号: 1444870-74-9 NACRES: NA.23
制造商品牌: 西格玛 Sigma-Aldrich
货号（SKU）: 791989
CAS号: 1444870-74-9
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说明

一般描述

PDPP2T-TT-OD是基于噻吩的导电聚合物，其中二酮吡咯并吡咯（DPP）为电子缺陷基团，辛基十二烷基为侧基。其结构含有一个DPP-噻吩和一个可变的联噻吩（2T）。它具有高电荷携带能力，使其可用于开发基于有机电子的设备。
 

应用

PDPP2T-TT-OD可以用作 π-共轭聚合物，可用于制造各种器件，例如有机薄膜晶体管（OTFT）、光伏电池、聚合物太阳能电池和场效应晶体管（FET）。
Xerox在含有100-300 nm天然SiO2介电质的n-掺杂硅晶片上展示出器件
该介质被十八烷基三氯硅烷自组装单层改性。XSC4p膜通过旋涂（1000 rpm，60秒）0.5–0.7 wt.％的聚合物溶液进行沉积。将薄膜在真空烘箱中于80°C干燥10分钟，
然后在140°C加热退火10分钟。使用荫罩（90微米通道）通过真空蒸发对金源漏极进行沉积。
使用Keithley SCS-4200系统对电气性能进行了表征。所报告的迁移率是四个设备ε的平均饱和迁移率±
标准差
 

法律信息

Xerox产品®。Xerox® 是Xerox公司的注册商标。
Xerox is a registered trademark of Xerox Corporation
 
 

属性

质量水平

100

形式

solid

分子量

average Mw 40,000-60,000 by GPC

颜色

dark blue

mp

>200 °C

λmax

820 nm (thin film)

轨道能量

HOMO 5.2 eV 

OFET设备性能

Bottom gate top contact device with silane modified SiO2 dielectric.Processing method spin coating; thermal annealing at 140 °C/ 10 min

  • Semiconductor Type:
  • Mobility: 0.60 cm2/V·s
  • On/Off Ratio: 10^6 - 10^7

PDI

2.5‑3.0

 

安全信息

储存分类代码

11 - Combustible Solids

WGK

WGK 3

商品规格
属性名称属性值
储存温度 Storage temp.常温阴凉避光
全球实时库存 Availability √美国St. Louis ≥ 50 | 欧洲Eur. ≥ 12 | 東京Tokyo ≥ 20 | 香港与北京 ≥ 50
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